尹志堯“志在巔峰”的底氣，是中微公司在刻蝕設備、MOCVD設備兩大領域齊發力的成果。
“今年（2021年）到目前為止，用于3D NAND應用的Primo HD-RIE和用于7納米及以下節點邏輯應用的Primo AD-RIE-e占設備總出貨量的50%。”中微公司官網介紹。
3D NAND是閃存領域最先進的產品，而7納米及以下節點芯片，世界范圍內也只有臺積電、三星等極少數晶圓廠具備制造能力。
但要注意的是，半導體行業具有一定的周期性特征。中微公司也表示，在行業景氣度提升過程中，產業往往加大資本性支出，快速提升對相關設備的需求；在行業景氣度下降過程中，產業則可能削減資本支出，進而對設備的需求產生不利影響。
國內刻蝕設備龍頭
尹志堯是刻蝕設備專家，其于1986年加入Lam Research（泛林半導體）并引領了刻蝕技術的發展，同時為一些關鍵產品帶來了解決方案。在成立中微之前，尹志堯在應用材料公司任職13年，曾擔任公司副總裁、等離子體刻蝕設備產品事業群總經理、亞洲區采購副總裁、應用材料亞洲首席技術官等。
他的職業生涯，與刻蝕設備分不開。曾任職的兩家公司也是全球前三的刻蝕設備廠商。根據Gartner 2019年統計數據，泛林半導體、東京電子和應用材料分別占據了全球44.7%、28.0%、18.1%的市場份額。
在尹志堯的帶領下，中微公司逐漸成長為國內刻蝕設備龍頭。在Gartner 2019年統計中，中微公司刻蝕設備全球排名第六，市占率為1.1%。
2021年，中微公司營業收入31.08億元，同比增長36.72%。其中，刻蝕設備收入20.04億元，同比增長約55.44%，毛利率為44.32%。
中微公司主要產品可分為CCP刻蝕設備、ICP刻蝕設備以及MOCVD設備。
刻蝕設備技術方面，中微公司相關設備可用于邏輯芯片先進制程、3D NAND芯片的生產。公司開發的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65納米到5納米等先進的芯片生產線。同時，公司根據先進集成電路廠商的需求，已開發出5納米及更先進刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業領先客戶的批量訂單。公司目前正在配合客戶需求，開發新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。
事實上，目前全球能生產5納米及以下先進制程芯片的晶圓廠，唯有臺積電、三星。
在3D NAND領域，中微公司電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層和128層的量產，同時公司根據存儲器廠商的需求正在開發新一代能夠涵蓋128層及以上關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。
此外，中微公司正在進行下一代產品的技術研發，以滿足5納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品的ICP刻蝕需求，并進行高產出的ICP刻蝕設備的研發。
對于刻蝕設備業務的發展，尹志堯在董事長致辭中表示：“公司CCP等離子體刻蝕設備產品持續保持競爭優勢，在國內外一線客戶的邏輯和存儲芯片制造生產線上，包括先進的5納米芯片生產線和下一代的試生產線上，持續提升市場占有率，在部分關鍵客戶市場占有率已進入前三位甚至前二位。”
趕上Mini LED風口
在很多投資者的印象里，中微公司是刻蝕設備龍頭。其實，中微公司的MOCVD產品在LED設備市場也有較大影響力，特別是Mini LED風潮漸起之時。
根據TrendForce集邦咨詢報道，隨著Mini LED背光顯示滲透率的提升，以及Mini LED直接顯示逐漸進入商顯等市場，Mini/Micro LED新型顯示帶來的LED外延片需求量將快速增長。
平安證券研報顯示，MOCVD設備是LED制造的關鍵設備，采購金額占產線投入的50%以上。2021年被稱為 Mini LED元年，GGII統計，年內LED產業鏈超過8成的投資集中于LED顯示尤其是 Mini/Micro LED領域，Mini LED產能投資推升了MOCVD需求。
而中微公司，正是MOCVD設備重要提供商，根據IHS Markit統計，2018年中微公司的 MOCVD占據全球氮化鎵基LED用MOCVD新增市場的41%；尤其在2018年下半年，中微公司的 MOCVD更是占據了全球新增氮化鎵基LED MOCVD設備市場的60%以上。
中微公司于2021年6月發布了用于高性能Mini LED量產的MOCVD設備PrismoUniMax，半年內即已收到來自國內多家領先客戶的批量訂單合計超過100腔，并且不斷收到更多的訂單。
3月29日，中微公司又于官方微信號宣布，全資子公司南昌中微半導體設備有限公司收到兆馳科技52腔MOCVD設備采購訂單。
作為技術密集型行業，中微公司MOCVD業務的發展離不開人才。中微公司官網顯示，其領導團隊中與MOCVD業務相關的主要有副總裁、南昌中微兼MOCVD中國區總經理季華；副總裁，MOCVD產品部總經理郭世平。
公司官網對季華的描述是“領導中國區團隊積極推進MOCVD設備銷售服務，在三年內實現爆發式的銷售業務成長，負責南昌中微公司的建立和運營。”
郭世平則主要從事MOCVD設備的開發和管理工作，具有多年從事化合物半導體材料外延工藝開發、設備研發及營運的經驗。2006年至2012年，郭世平在美國IQE-RF公司歷任資深研究員，氮化鎵部門營運和研發總監，主要從事氮化鎵晶體管和發光材料MOCVD外延生長的研發和營運工作。
而氮化鎵，正是第三代半導體的一種。并且，第三代半導體也是MOCVD設備的一大應用方向。中微公司表示：“針對化合物半導體功率器件市場應用的快速發展，公司正在開發硅基氮化鎵及碳化硅功率器件專用的外延設備，不斷豐富公司設備的產品線，強化公司在第三代半導體設備市場的競爭優勢。”
不過，中微公司也提示風險道，近年來，晶圓廠和 LED 外延片制造商審慎地進行擴產。不能排除下游個別晶圓廠和 LED 外延片制造商的后續投資不及預期，對相關設備的采購需求減弱，這將影響公司的訂單量，進而對公司的業績產生不利影響。
